Teste sobre O transistor como chave e amplificador

Pergunta 1: A Base é o terminal de controle que determina o comportamento do transistor NPN através da corrente que flui para ela.

A. Sim

B. Não

Explicação: A Base (B) é a camada central, fina e levemente dopada (tipo P). A corrente que flui para a base (corrente de base, I_B) é a corrente de controle que determina o comportamento do transistor.

Pergunta 2: No cálculo da resistência do coletor (R_C) para o LED em um circuito com transistor como chave, a tensão sobre R_C é obtida subtraindo V_LED e V_CE(sat) da V_CC.

A. Sim

B. Não

Explicação: De acordo com o 'Exemplo Prático: Transistor como Chave para Acionar um LED', o Passo 1, 'Calcular a resistência do coletor (R_C) para o LED', afirma que a tensão sobre o resistor de coletor (R_C) será V_CC - V_LED - V_CE(sat).

Pergunta 3: Um engenheiro precisa dimensionar um transistor NPN para operar como chave na região de saturação. Se a corrente de coletor desejada (I_C) é de 30 mA e o ganho de corrente (β) do transistor é 150, qual seria a corrente de base mínima (I_B(min)) para saturação e qual o valor da corrente de base para saturação robusta (I_B(saturação)) se for aplicado um fator de segurança de 2?

A. I_B(min) = 200 µA e I_B(saturação) = 300 µA

B. I_B(min) = 450 µA e I_B(saturação) = 900 µA

C. I_B(min) = 200 µA e I_B(saturação) = 400 µA

D. I_B(min) = 0,2 mA e I_B(saturação) = 0,3 mA

Explicação: Para calcular a corrente de base mínima (I_B(min)) para saturação, utiliza-se a fórmula I_B(min) = I_C / β. Com I_C = 30 mA (0,03 A) e β = 150, temos I_B(min) = 0,03 A / 150 = 0,0002 A = 200 µA. Para garantir uma saturação robusta, multiplica-se a corrente de base mínima por um fator de segurança. Usando um fator de 2, I_B(saturação) = 2 * I_B(min) = 2 * 200 µA = 400 µA.

Pergunta 4: De acordo com o material de estudo, qual das seguintes afirmações descreve corretamente as características estruturais do terminal Emissor em um Transistor de Junção Bipolar (TJB) NPN?

A. É a camada central, fina e levemente dopada, sendo do tipo P.

B. É uma das camadas externas, mais larga e fortemente dopada, sendo do tipo N.

C. É a camada mais larga e moderadamente dopada, por onde a corrente principal geralmente entra ou sai.

D. É o terminal de controle que determina o comportamento do transistor através da corrente de base.

Explicação: O material de estudo afirma que o Emissor é 'a outra camada externa, mais larga e fortemente dopada (tipo N)'. A opção 1 descreve essa característica de forma precisa, identificando-o como uma camada externa, mais larga e fortemente dopada do tipo N. As outras opções descrevem características da Base (opções 0 e 3) ou do Coletor (opção 2, parcialmente).

Pergunta 5: É correto assumir que um transistor NPN funcionará na região ativa se a junção base-emissor for polarizada com V_BE em aproximadamente 0,2 V.

A. Sim

B. Não

Explicação: Para um transistor NPN operar corretamente, a junção base-emissor deve ser polarizada com V_BE em aproximadamente 0,7 V. Uma polarização de 0,2 V é considerada incorreta e pode levar ao não funcionamento ou desempenho inadequado do transistor, impedindo que ele alcance a região ativa conforme descrito nos materiais de estudo.